Diode/Bridge Rectifier
Номер деталі
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
Виробники
DC reverse withstand voltage (Vr) Silicon carbide200 Average rectified current (Io) 5 Reverse current (Ir) 0.2
опис
83889 PCS
В наявності
Номер деталі
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Виробники
IF(A) 2 VR(V) 100 VF(V) 0.85 IR(uA) 1000 IFSM(A) 50
опис
59320 PCS
В наявності
Номер деталі
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Виробники
IF(A) 2 VR(V) 100 VF(V) 0.85 IR(uA) 1000 IFSM(A) 50
опис
88953 PCS
В наявності
Номер деталі
DIODES (US and Taiwan)
Виробники
2 pairs of Schottky diode arrays in series VR=30V IO=0.2A [email protected]
опис
79221 PCS
В наявності
Номер деталі
DIODES (US and Taiwan)
Виробники
2 pairs of Schottky diode arrays in series VR=30V IO=0.2A [email protected]
опис
52958 PCS
В наявності
Номер деталі
baocheng (Baocheng)
Виробники
Fast recovery rectifier bridge: DC reverse withstand voltage (Vr): 1kV Average rectified current (Io): 3A Forward voltage drop (Vf): 1.1@3A Reverse current (Ir): 10μA@1kV Forward surge current ( Ifsm) 90A Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) GBP long legs
опис
76564 PCS
В наявності
