Diode/Bridge Rectifier

Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
опис
52059 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
опис
53406 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
The device uses the principle of Schottky diode potential barrier and adopts large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. Ideal for low voltage, high frequency rectification, or as a freewheeling and polarity protection diode in applications where compact size and weight are critical to the system. Typical applications are AC-DC and DC-DC, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
опис
99224 PCS
В наявності
Номер деталі
Taiwan Semiconductor
Виробники
опис
52971 PCS
В наявності
Номер деталі
VISHAY (Vishay)
Виробники
опис
97439 PCS
В наявності
Номер деталі
VISHAY (Vishay)
Виробники
опис
66508 PCS
В наявності
Номер деталі
DIOTEC (Diotec)
Виробники
опис
67511 PCS
В наявності
Номер деталі
DIOTEC (Diotec)
Виробники
опис
51347 PCS
В наявності
Номер деталі
GeneSiC Semiconductor
Виробники
опис
89177 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
опис
91545 PCS
В наявності
Номер деталі
SURGE
Виробники
опис
51027 PCS
В наявності
Номер деталі
MACOM
Виробники
опис
66675 PCS
В наявності
Номер деталі
DIOTEC (Diotec)
Виробники
опис
85622 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
опис
50016 PCS
В наявності
Номер деталі
Infineon (Infineon)
Виробники
опис
89333 PCS
В наявності
Номер деталі
MACOM
Виробники
опис
62606 PCS
В наявності
Номер деталі
DIOTEC (Diotec)
Виробники
опис
57375 PCS
В наявності
Номер деталі
Infineon (Infineon)
Виробники
опис
50371 PCS
В наявності
Номер деталі
Comchip
Виробники
опис
82905 PCS
В наявності
Номер деталі
DIOTEC (Diotec)
Виробники
опис
66143 PCS
В наявності