onsemi (Ansemi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
CNY17F1M
DC Input Isolation Voltage (rms): 4170V High BVCEO Phototransistor Output Optocoupler
Номер деталі
CNY17F1M
Категорія
Optocoupler/LED/Digital Tube/Optoelectronic Device > Optocoupler-Phototransistor Output
Виробник/бренд
onsemi (Ansemi)
Інкапсуляція
DIP-6
Упаковка
bagged
Кількість упаковок
1000
опис
The CNY17XM, CNY17FXM, and MOC810XM devices consist of a Gallium Arsenide infrared light-emitting diode coupled to an NPN phototransistor with dual-row plug-inencapsulation.
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 58159 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
DC Input Isolation Voltage (rms): 4170V High BVCEO Phototransistor Output Optocoupler
onsemi (Ansemi)
DC Input Isolation Voltage (rms): 4170V High BVCEO Phototransistor Output Optocoupler
onsemi (Ansemi)
Ключові слова CNY17F1M
CNY17F1M Електронні компоненти
CNY17F1M Продажі
CNY17F1M Постачальник
CNY17F1M Дистриб'ютор
CNY17F1M Таблиця даних
CNY17F1M Фотографії
CNY17F1M Ціна
CNY17F1M Пропозиція
CNY17F1M Найнижча ціна
CNY17F1M Пошук
CNY17F1M Закупівля
CNY17F1M Чіп