onsemi (Ansemi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
ISL9R3060G2 600V 30A 2.1V@30A 36ns 30A, 600V, STEALTH Diode

ISL9R3060G2

600V 30A 2.1V@30A 36ns 30A, 600V, STEALTH Diode
Номер деталі
ISL9R3060G2
Категорія
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
Виробник/бренд
onsemi (Ansemi)
Інкапсуляція
TO-247-2
Упаковка
Tube
Кількість упаковок
30
опис
The ISL9R3060G2 is a STEALTH diode with low loss performance in high frequency hard switching applications. The STEALTH series features low reverse recovery current (IRR) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is suitable for use as a freewheeling or boosting diode in power supplies and other power switching applications. Low IRR and short ta phase reduce switching transistor losses. Soft recovery minimizes ringing, extending the range of conditions under which the diode can be operated without the use of additional snubber circuitry. Consider using STEALTH diodes with SMPS IGBTs to provide the most efficient and highest power density design at a lower cost.
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 73163 PCS
Контактна інформація
Ключові слова ISL9R3060G2
ISL9R3060G2 Електронні компоненти
ISL9R3060G2 Продажі
ISL9R3060G2 Постачальник
ISL9R3060G2 Дистриб'ютор
ISL9R3060G2 Таблиця даних
ISL9R3060G2 Фотографії
ISL9R3060G2 Ціна
ISL9R3060G2 Пропозиція
ISL9R3060G2 Найнижча ціна
ISL9R3060G2 Пошук
ISL9R3060G2 Закупівля
ISL9R3060G2 Чіп