Зображення може бути репрезентативним. Деталі продукту див. у специфікаціях.
NCP5106BDR2G
Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
Номер деталі
NCP5106BDR2G
Категорія
Power Chip > Gate Driver IC
Виробник/бренд
onsemi (Ansemi)
Інкапсуляція
SOIC-8-150mil
Упаковка
taping
Кількість упаковок
2500
опис
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.