Купити Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-7 MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

DMN30H4D0LFDE-7

MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Номер деталі

DMN30H4D0LFDE-7

Виробник/бренд

Diodes Incorporated

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

6-UDFN Exposed Pad

Пакет пристроїв постачальника

U-DFN2020-6 (Type E)

Розсіювана потужність (макс.)

630mW (Ta)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

300V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

550mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

7.6nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

187.3pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 18645 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

DMN3005LK3-13

MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L