Купити Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TA MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

ZXMN3A06DN8TA

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Номер деталі

ZXMN3A06DN8TA

Виробник/бренд

Diodes Incorporated

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Потужність - Макс

1.8W

Пакет пристроїв постачальника

8-SO

Тип FET

2 N-Channel (Dual)

Функція FET

Logic Level Gate

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

796pF @ 25V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 49344 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

ZXMN0545FFTA

MOSFET N-CH 450V SOT23F-3