Купити Diodes Incorporated ZXMN6A11GTA MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

ZXMN6A11GTA

MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Номер деталі

ZXMN6A11GTA

Виробник/бренд

Diodes Incorporated

Статус частини

Active

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-261-4, TO-261AA

Пакет пристроїв постачальника

SOT-223

Розсіювана потужність (макс.)

2W (Ta)

Тип FET

N-Channel

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

3.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

5.7nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

330pF @ 40V

Vgs (макс.)

±20V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 29802 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

ZXMN0545FFTA

MOSFET N-CH 450V SOT23F-3