EPC2016
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Номер деталі
EPC2016
Виробник/бренд
Серія
eGaN®
Статус частини
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Digi-Reel®
технології
GaNFET (Gallium Nitride)
Робоча температура
-40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
Die
Пакет пристроїв постачальника
Die
Розсіювана потужність (макс.)
-
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
100V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
520pF @ 50V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (макс.)
+6V, -5V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 36946 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова EPC2016
EPC2016 Електронні компоненти
EPC2016 Продажі
EPC2016 Постачальник
EPC2016 Дистриб'ютор
EPC2016 Таблиця даних
EPC2016 Фотографії
EPC2016 Ціна
EPC2016 Пропозиція
EPC2016 Найнижча ціна
EPC2016 Пошук
EPC2016 Закупівля
EPC2016 Чіп