EPC2018
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Номер деталі
EPC2018
Виробник/бренд
Серія
eGaN®
Статус частини
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
GaNFET (Gallium Nitride)
Робоча температура
-40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
Die
Пакет пристроїв постачальника
Die
Розсіювана потужність (макс.)
-
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
150V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
540pF @ 100V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (макс.)
+6V, -5V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 35056 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова EPC2018
EPC2018 Електронні компоненти
EPC2018 Продажі
EPC2018 Постачальник
EPC2018 Дистриб'ютор
EPC2018 Таблиця даних
EPC2018 Фотографії
EPC2018 Ціна
EPC2018 Пропозиція
EPC2018 Найнижча ціна
EPC2018 Пошук
EPC2018 Закупівля
EPC2018 Чіп