Купити GeneSiC Semiconductor 1N1206A DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

1N1206A

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Номер деталі

1N1206A

Виробник/бренд

GeneSiC Semiconductor

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Bulk

Тип монтажу

Chassis, Stud Mount

Пакет / футляр

DO-203AA, DO-4, Stud

Пакет пристроїв постачальника

DO-4

Тип діода

Standard

Струм - середнє випрямлене (Io)

12A

Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ If

1.1V @ 12A

Струм - зворотний витік @ Vr

10µA @ 50V

Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.)

600V

швидкість

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Час зворотного відновлення (trr)

Робоча температура - спай

-65°C ~ 200°C

Ємність @ Vr, F

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 46971 PCS

Контактна інформація