Купити GeneSiC Semiconductor GBU4J DIODE BRIDGE 600V 4A GBU

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

GBU4J

DIODE BRIDGE 600V 4A GBU

Номер деталі

GBU4J

Виробник/бренд

GeneSiC Semiconductor

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Bulk

технології

Standard

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

4-SIP, GBU

Пакет пристроїв постачальника

GBU

Тип діода

Single Phase

Напруга - піковий реверс (макс.)

600V

Струм - середнє випрямлене (Io)

Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ If

1.1V @ 4A

Струм - зворотний витік @ Vr

5µA @ 600V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 9074 PCS

Контактна інформація