Купити GeneSiC Semiconductor KBJ410G DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

KBJ410G

DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ

Номер деталі

KBJ410G

Виробник/бренд

GeneSiC Semiconductor

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Bulk

технології

Standard

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

4-SIP, KBJ

Пакет пристроїв постачальника

KBJ

Тип діода

Single Phase

Напруга - піковий реверс (макс.)

1kV

Струм - середнє випрямлене (Io)

Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ If

1.1V @ 4A

Струм - зворотний витік @ Vr

5µA @ 1000V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 53967 PCS

Контактна інформація