Купити GeneSiC Semiconductor MBR60030CTRL DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

MBR60030CTRL

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Номер деталі

MBR60030CTRL

Виробник/бренд

GeneSiC Semiconductor

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Bulk

Тип монтажу

Chassis Mount

Пакет / футляр

Twin Tower

Пакет пристроїв постачальника

Twin Tower

Тип діода

Schottky

Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ If

580mV @ 300A

Струм - зворотний витік @ Vr

3mA @ 30V

Конфігурація діода

1 Pair Common Anode

Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.)

30V

Струм - середнє випрямлене (Io) (на діод)

300A

швидкість

Fast Recovery = 200mA (Io)

Час зворотного відновлення (trr)

Робоча температура - спай

-55°C ~ 150°C

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 29882 PCS

Контактна інформація