Купити GeneSiC Semiconductor MURTA400120R DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

MURTA400120R

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Номер деталі

MURTA400120R

Виробник/бренд

GeneSiC Semiconductor

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Bulk

Тип монтажу

Chassis Mount

Пакет / футляр

Three Tower

Пакет пристроїв постачальника

Three Tower

Тип діода

Standard

Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ If

2.6V @ 200A

Струм - зворотний витік @ Vr

25µA @ 1200V

Конфігурація діода

1 Pair Common Anode

Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.)

1200V

Струм - середнє випрямлене (Io) (на діод)

200A

швидкість

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Час зворотного відновлення (trr)

Робоча температура - спай

-55°C ~ 150°C

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 32522 PCS

Контактна інформація