Купити Global Power Technologies Group GP2M005A060PG MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

GP2M005A060PG

MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Номер деталі

GP2M005A060PG

Виробник/бренд

Global Power Technologies Group

Серія

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Пакет пристроїв постачальника

I-PAK

Розсіювана потужність (макс.)

98.4W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

600V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

4.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

14nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

658pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 50412 PCS

Контактна інформація