Купити Infineon Technologies BSO615CT MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

BSO615CT

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Номер деталі

BSO615CT

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

SIPMOS®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Потужність - Макс

Пакет пристроїв постачальника

PG-DSO-8

Тип FET

N and P-Channel

Функція FET

Logic Level Gate

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

3.1A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

380pF @ 25V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 37088 PCS

Контактна інформація