Купити Infineon Technologies FF200R12KT3EHOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

FF200R12KT3EHOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Номер деталі

FF200R12KT3EHOSA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

Статус частини

Active

Робоча температура

-40°C ~ 125°C

Тип монтажу

Chassis Mount

Пакет / футляр

Module

Потужність - Макс

1050W

Конфігурація

2 Independent

Пакет пристроїв постачальника

Module

Струм - колектор (Ic) (макс.)

Напруга - пробій колектора емітера (макс.)

1200V

Струм - відсічення колектора (макс.)

5mA

Тип IGBT

Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Вхідна ємність (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Введення

Standard

Термістор NTC

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 47024 PCS

Контактна інформація