Купити Infineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1 MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Номер деталі

IPB017N10N5LFATMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

OptiMOS™-5

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Пакет пристроїв постачальника

PG-TO263-7

Розсіювана потужність (макс.)

313W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.1V @ 270µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

195nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

840pF @ 50V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 49518 PCS

Контактна інформація