Купити Infineon Technologies IPB65R190C7ATMA2 MOSFET N-CH TO263-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

IPB65R190C7ATMA2

MOSFET N-CH TO263-3

Номер деталі

IPB65R190C7ATMA2

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

CoolMOS™ C7

Статус частини

Active

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

PG-TO263-3

Розсіювана потужність (макс.)

72W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Напруга відведення до джерела (Vdss)

650V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

13A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 290µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

23nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1150pF @ 400V

Vgs (макс.)

±20V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 30679 PCS

Контактна інформація