Купити Infineon Technologies IPB80N06S2L09ATMA1 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

IPB80N06S2L09ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Номер деталі

IPB80N06S2L09ATMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

OptiMOS™

Статус частини

Discontinued at Digi-Key

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

PG-TO263-3-2

Розсіювана потужність (макс.)

190W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

55V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2 mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 125µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

105nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2620pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 37359 PCS

Контактна інформація