Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Номер деталі
IPD12CNE8N G
Виробник/бренд
Серія
OptiMOS™
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет пристроїв постачальника
PG-TO252-3
Розсіювана потужність (макс.)
125W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
85V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
64nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
4340pF @ 40V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 48725 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова IPD12CNE8N G
IPD12CNE8N G Електронні компоненти
IPD12CNE8N G Продажі
IPD12CNE8N G Постачальник
IPD12CNE8N G Дистриб'ютор
IPD12CNE8N G Таблиця даних
IPD12CNE8N G Фотографії
IPD12CNE8N G Ціна
IPD12CNE8N G Пропозиція
IPD12CNE8N G Найнижча ціна
IPD12CNE8N G Пошук
IPD12CNE8N G Закупівля
IPD12CNE8N G Чіп