Купити Infineon Technologies IPD60R650CEBTMA1 MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

IPD60R650CEBTMA1

MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Номер деталі

IPD60R650CEBTMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

CoolMOS™ CE

Статус частини

Discontinued at Digi-Key

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Пакет пристроїв постачальника

PG-TO252-3

Розсіювана потужність (макс.)

82W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

600V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 200µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

440pF @ 100V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 11908 PCS

Контактна інформація