Купити Infineon Technologies IPD95R2K0P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 4A TO252

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

IPD95R2K0P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 4A TO252

Номер деталі

IPD95R2K0P7ATMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

CoolMOS™ P7

Статус частини

Active

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Пакет пристроїв постачальника

PG-TO252-3

Розсіювана потужність (макс.)

37W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Напруга відведення до джерела (Vdss)

950V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 80µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

10nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

330pF @ 400V

Vgs (макс.)

±20V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 8691 PCS

Контактна інформація