Купити Infineon Technologies IPG20N10S4L22ATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

IPG20N10S4L22ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Номер деталі

IPG20N10S4L22ATMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-PowerVDFN

Потужність - Макс

60W

Пакет пристроїв постачальника

PG-TDSON-8-4

Тип FET

2 N-Channel (Dual)

Функція FET

Logic Level Gate

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 25µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

27nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1755pF @ 25V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 40004 PCS

Контактна інформація