Купити Infineon Technologies IPI80P04P4L04AKSA1 MOSFET P-CH TO262-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

IPI80P04P4L04AKSA1

MOSFET P-CH TO262-3

Номер деталі

IPI80P04P4L04AKSA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Пакет пристроїв постачальника

PG-TO262-3-1

Розсіювана потужність (макс.)

125W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

40V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

176nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

3800pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

+5V, -16V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 23527 PCS

Контактна інформація