Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IRF6614TR1PBF

IRF6614TR1PBF

MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Номер деталі
IRF6614TR1PBF
Виробник/бренд
Серія
HEXFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
DirectFET™ Isometric ST
Пакет пристроїв постачальника
DIRECTFET™ ST
Розсіювана потужність (макс.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
40V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2560pF @ 20V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 37466 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IRF6614TR1PBF
IRF6614TR1PBF Електронні компоненти
IRF6614TR1PBF Продажі
IRF6614TR1PBF Постачальник
IRF6614TR1PBF Дистриб'ютор
IRF6614TR1PBF Таблиця даних
IRF6614TR1PBF Фотографії
IRF6614TR1PBF Ціна
IRF6614TR1PBF Пропозиція
IRF6614TR1PBF Найнижча ціна
IRF6614TR1PBF Пошук
IRF6614TR1PBF Закупівля
IRF6614TR1PBF Чіп