Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IRF6674TR1PBF

IRF6674TR1PBF

MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Номер деталі
IRF6674TR1PBF
Виробник/бренд
Серія
HEXFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
DirectFET™ Isometric MZ
Пакет пристроїв постачальника
DIRECTFET™ MZ
Розсіювана потужність (макс.)
3.6W (Ta), 89W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
60V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 13.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
1350pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 48153 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IRF6674TR1PBF
IRF6674TR1PBF Електронні компоненти
IRF6674TR1PBF Продажі
IRF6674TR1PBF Постачальник
IRF6674TR1PBF Дистриб'ютор
IRF6674TR1PBF Таблиця даних
IRF6674TR1PBF Фотографії
IRF6674TR1PBF Ціна
IRF6674TR1PBF Пропозиція
IRF6674TR1PBF Найнижча ціна
IRF6674TR1PBF Пошук
IRF6674TR1PBF Закупівля
IRF6674TR1PBF Чіп