Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IRF6727MTR1PBF

IRF6727MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Номер деталі
IRF6727MTR1PBF
Виробник/бренд
Серія
HEXFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
DirectFET™ Isometric MX
Пакет пристроїв постачальника
DIRECTFET™ MX
Розсіювана потужність (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
6190pF @ 15V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 37686 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IRF6727MTR1PBF
IRF6727MTR1PBF Електронні компоненти
IRF6727MTR1PBF Продажі
IRF6727MTR1PBF Постачальник
IRF6727MTR1PBF Дистриб'ютор
IRF6727MTR1PBF Таблиця даних
IRF6727MTR1PBF Фотографії
IRF6727MTR1PBF Ціна
IRF6727MTR1PBF Пропозиція
IRF6727MTR1PBF Найнижча ціна
IRF6727MTR1PBF Пошук
IRF6727MTR1PBF Закупівля
IRF6727MTR1PBF Чіп