Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IRF6775MTR1PBF

IRF6775MTR1PBF

MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Номер деталі
IRF6775MTR1PBF
Виробник/бренд
Серія
HEXFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
DirectFET™ Isometric MZ
Пакет пристроїв постачальника
DIRECTFET™ MZ
Розсіювана потужність (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
150V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
1411pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 42885 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IRF6775MTR1PBF
IRF6775MTR1PBF Електронні компоненти
IRF6775MTR1PBF Продажі
IRF6775MTR1PBF Постачальник
IRF6775MTR1PBF Дистриб'ютор
IRF6775MTR1PBF Таблиця даних
IRF6775MTR1PBF Фотографії
IRF6775MTR1PBF Ціна
IRF6775MTR1PBF Пропозиція
IRF6775MTR1PBF Найнижча ціна
IRF6775MTR1PBF Пошук
IRF6775MTR1PBF Закупівля
IRF6775MTR1PBF Чіп