Купити Infineon Technologies IRF6785MTR1PBF MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

IRF6785MTR1PBF

MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

Номер деталі

IRF6785MTR1PBF

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

HEXFET®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

DirectFET™ Isometric MZ

Пакет пристроїв постачальника

DIRECTFET™ MZ

Розсіювана потужність (макс.)

2.8W (Ta), 57W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

200V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

3.4A (Ta), 19A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

36nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1500pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 26892 PCS

Контактна інформація