Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IRF6810STR1PBF

IRF6810STR1PBF

MOSFET N CH 25V 16A S1
Номер деталі
IRF6810STR1PBF
Виробник/бренд
Серія
HEXFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
DirectFET™ Isometric S1
Пакет пристроїв постачальника
DIRECTFET S1
Розсіювана потужність (макс.)
2.1W (Ta), 20W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
25V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
1038pF @ 13V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±16V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 11821 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IRF6810STR1PBF
IRF6810STR1PBF Електронні компоненти
IRF6810STR1PBF Продажі
IRF6810STR1PBF Постачальник
IRF6810STR1PBF Дистриб'ютор
IRF6810STR1PBF Таблиця даних
IRF6810STR1PBF Фотографії
IRF6810STR1PBF Ціна
IRF6810STR1PBF Пропозиція
IRF6810STR1PBF Найнижча ціна
IRF6810STR1PBF Пошук
IRF6810STR1PBF Закупівля
IRF6810STR1PBF Чіп