Купити Infineon Technologies IRF6892STR1PBF MOSFET N-CH 25V 28A S3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

IRF6892STR1PBF

MOSFET N-CH 25V 28A S3

Номер деталі

IRF6892STR1PBF

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

HEXFET®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

DirectFET™ Isometric S3C

Пакет пристроїв постачальника

DIRECTFET™ S3C

Розсіювана потужність (макс.)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

25V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

28A (Ta), 125A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 50µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2510pF @ 13V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±16V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 16181 PCS

Контактна інформація