Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IRF6892STR1PBF

IRF6892STR1PBF

MOSFET N-CH 25V 28A S3
Номер деталі
IRF6892STR1PBF
Виробник/бренд
Серія
HEXFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
DirectFET™ Isometric S3C
Пакет пристроїв постачальника
DIRECTFET™ S3C
Розсіювана потужність (макс.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
25V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2510pF @ 13V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±16V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 16181 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IRF6892STR1PBF
IRF6892STR1PBF Електронні компоненти
IRF6892STR1PBF Продажі
IRF6892STR1PBF Постачальник
IRF6892STR1PBF Дистриб'ютор
IRF6892STR1PBF Таблиця даних
IRF6892STR1PBF Фотографії
IRF6892STR1PBF Ціна
IRF6892STR1PBF Пропозиція
IRF6892STR1PBF Найнижча ціна
IRF6892STR1PBF Пошук
IRF6892STR1PBF Закупівля
IRF6892STR1PBF Чіп