Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IRF7702GTRPBF

IRF7702GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Номер деталі
IRF7702GTRPBF
Виробник/бренд
Серія
HEXFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Пакет пристроїв постачальника
8-TSSOP
Розсіювана потужність (макс.)
1.5W (Ta)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
12V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
81nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
3470pF @ 10V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (макс.)
±8V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 42468 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IRF7702GTRPBF
IRF7702GTRPBF Електронні компоненти
IRF7702GTRPBF Продажі
IRF7702GTRPBF Постачальник
IRF7702GTRPBF Дистриб'ютор
IRF7702GTRPBF Таблиця даних
IRF7702GTRPBF Фотографії
IRF7702GTRPBF Ціна
IRF7702GTRPBF Пропозиція
IRF7702GTRPBF Найнижча ціна
IRF7702GTRPBF Пошук
IRF7702GTRPBF Закупівля
IRF7702GTRPBF Чіп