Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IRF8302MTR1PBF

IRF8302MTR1PBF

MOSFET N CH 30V 31A MX
Номер деталі
IRF8302MTR1PBF
Виробник/бренд
Серія
HEXFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
DirectFET™ Isometric MX
Пакет пристроїв постачальника
DIRECTFET™ MX
Розсіювана потужність (макс.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
6030pF @ 15V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 18692 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IRF8302MTR1PBF
IRF8302MTR1PBF Електронні компоненти
IRF8302MTR1PBF Продажі
IRF8302MTR1PBF Постачальник
IRF8302MTR1PBF Дистриб'ютор
IRF8302MTR1PBF Таблиця даних
IRF8302MTR1PBF Фотографії
IRF8302MTR1PBF Ціна
IRF8302MTR1PBF Пропозиція
IRF8302MTR1PBF Найнижча ціна
IRF8302MTR1PBF Пошук
IRF8302MTR1PBF Закупівля
IRF8302MTR1PBF Чіп