Купити Infineon Technologies IRF8302MTR1PBF MOSFET N CH 30V 31A MX

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

IRF8302MTR1PBF

MOSFET N CH 30V 31A MX

Номер деталі

IRF8302MTR1PBF

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

HEXFET®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

DirectFET™ Isometric MX

Пакет пристроїв постачальника

DIRECTFET™ MX

Розсіювана потужність (макс.)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

31A (Ta), 190A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

53nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

6030pF @ 15V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 18692 PCS

Контактна інформація