Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IRFH7911TR2PBF

IRFH7911TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Номер деталі
IRFH7911TR2PBF
Виробник/бренд
Серія
HEXFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
18-PowerVQFN
Потужність - Макс
2.4W, 3.4W
Пакет пристроїв постачальника
PQFN (5x6)
Тип FET
2 N-Channel (Dual)
Функція FET
Logic Level Gate
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
1060pF @ 15V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 46238 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IRFH7911TR2PBF
IRFH7911TR2PBF Електронні компоненти
IRFH7911TR2PBF Продажі
IRFH7911TR2PBF Постачальник
IRFH7911TR2PBF Дистриб'ютор
IRFH7911TR2PBF Таблиця даних
IRFH7911TR2PBF Фотографії
IRFH7911TR2PBF Ціна
IRFH7911TR2PBF Пропозиція
IRFH7911TR2PBF Найнижча ціна
IRFH7911TR2PBF Пошук
IRFH7911TR2PBF Закупівля
IRFH7911TR2PBF Чіп