Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IRLHS6376TR2PBF

IRLHS6376TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Номер деталі
IRLHS6376TR2PBF
Виробник/бренд
Серія
HEXFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
6-VDFN Exposed Pad
Потужність - Макс
1.5W
Пакет пристроїв постачальника
6-PQFN (2x2)
Тип FET
2 N-Channel (Dual)
Функція FET
Logic Level Gate
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
270pF @ 25V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 41310 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IRLHS6376TR2PBF
IRLHS6376TR2PBF Електронні компоненти
IRLHS6376TR2PBF Продажі
IRLHS6376TR2PBF Постачальник
IRLHS6376TR2PBF Дистриб'ютор
IRLHS6376TR2PBF Таблиця даних
IRLHS6376TR2PBF Фотографії
IRLHS6376TR2PBF Ціна
IRLHS6376TR2PBF Пропозиція
IRLHS6376TR2PBF Найнижча ціна
IRLHS6376TR2PBF Пошук
IRLHS6376TR2PBF Закупівля
IRLHS6376TR2PBF Чіп