Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFB38N100Q2

IXFB38N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
Номер деталі
IXFB38N100Q2
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-264-3, TO-264AA
Пакет пристроїв постачальника
PLUS264™
Розсіювана потужність (макс.)
890W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
1000V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
250nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
13500pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 30662 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFB38N100Q2
IXFB38N100Q2 Електронні компоненти
IXFB38N100Q2 Продажі
IXFB38N100Q2 Постачальник
IXFB38N100Q2 Дистриб'ютор
IXFB38N100Q2 Таблиця даних
IXFB38N100Q2 Фотографії
IXFB38N100Q2 Ціна
IXFB38N100Q2 Пропозиція
IXFB38N100Q2 Найнижча ціна
IXFB38N100Q2 Пошук
IXFB38N100Q2 Закупівля
IXFB38N100Q2 Чіп