Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFB50N80Q2

IXFB50N80Q2

MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Номер деталі
IXFB50N80Q2
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-264-3, TO-264AA
Пакет пристроїв постачальника
PLUS264™
Розсіювана потужність (макс.)
1135W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
800V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
260nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
7200pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 27543 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFB50N80Q2
IXFB50N80Q2 Електронні компоненти
IXFB50N80Q2 Продажі
IXFB50N80Q2 Постачальник
IXFB50N80Q2 Дистриб'ютор
IXFB50N80Q2 Таблиця даних
IXFB50N80Q2 Фотографії
IXFB50N80Q2 Ціна
IXFB50N80Q2 Пропозиція
IXFB50N80Q2 Найнижча ціна
IXFB50N80Q2 Пошук
IXFB50N80Q2 Закупівля
IXFB50N80Q2 Чіп