Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFH12N120P

IXFH12N120P

MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
Номер деталі
IXFH12N120P
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™, PolarP2™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-247-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-247AD (IXFH)
Розсіювана потужність (макс.)
543W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
1200V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
103nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
5400pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 20212 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFH12N120P
IXFH12N120P Електронні компоненти
IXFH12N120P Продажі
IXFH12N120P Постачальник
IXFH12N120P Дистриб'ютор
IXFH12N120P Таблиця даних
IXFH12N120P Фотографії
IXFH12N120P Ціна
IXFH12N120P Пропозиція
IXFH12N120P Найнижча ціна
IXFH12N120P Пошук
IXFH12N120P Закупівля
IXFH12N120P Чіп