Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFH17N80Q

IXFH17N80Q

MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
Номер деталі
IXFH17N80Q
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-247-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-247AD (IXFH)
Розсіювана потужність (макс.)
400W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
800V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
3600pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 17089 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFH17N80Q
IXFH17N80Q Електронні компоненти
IXFH17N80Q Продажі
IXFH17N80Q Постачальник
IXFH17N80Q Дистриб'ютор
IXFH17N80Q Таблиця даних
IXFH17N80Q Фотографії
IXFH17N80Q Ціна
IXFH17N80Q Пропозиція
IXFH17N80Q Найнижча ціна
IXFH17N80Q Пошук
IXFH17N80Q Закупівля
IXFH17N80Q Чіп