Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Номер деталі
IXFH18N100Q3
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-247-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-247AD (IXFH)
Розсіювана потужність (макс.)
830W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
1000V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
4890pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 16139 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFH18N100Q3
IXFH18N100Q3 Електронні компоненти
IXFH18N100Q3 Продажі
IXFH18N100Q3 Постачальник
IXFH18N100Q3 Дистриб'ютор
IXFH18N100Q3 Таблиця даних
IXFH18N100Q3 Фотографії
IXFH18N100Q3 Ціна
IXFH18N100Q3 Пропозиція
IXFH18N100Q3 Найнижча ціна
IXFH18N100Q3 Пошук
IXFH18N100Q3 Закупівля
IXFH18N100Q3 Чіп