Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFH34N65X2

IXFH34N65X2

MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
Номер деталі
IXFH34N65X2
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-247-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-247
Розсіювана потужність (макс.)
540W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
650V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
3330pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 22722 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFH34N65X2
IXFH34N65X2 Електронні компоненти
IXFH34N65X2 Продажі
IXFH34N65X2 Постачальник
IXFH34N65X2 Дистриб'ютор
IXFH34N65X2 Таблиця даних
IXFH34N65X2 Фотографії
IXFH34N65X2 Ціна
IXFH34N65X2 Пропозиція
IXFH34N65X2 Найнижча ціна
IXFH34N65X2 Пошук
IXFH34N65X2 Закупівля
IXFH34N65X2 Чіп