Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFH6N100Q

IXFH6N100Q

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
Номер деталі
IXFH6N100Q
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-247-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-247AD (IXFH)
Розсіювана потужність (макс.)
180W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
1000V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2200pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 27559 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFH6N100Q
IXFH6N100Q Електронні компоненти
IXFH6N100Q Продажі
IXFH6N100Q Постачальник
IXFH6N100Q Дистриб'ютор
IXFH6N100Q Таблиця даних
IXFH6N100Q Фотографії
IXFH6N100Q Ціна
IXFH6N100Q Пропозиція
IXFH6N100Q Найнижча ціна
IXFH6N100Q Пошук
IXFH6N100Q Закупівля
IXFH6N100Q Чіп