Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFH80N10Q

IXFH80N10Q

MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
Номер деталі
IXFH80N10Q
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Last Time Buy
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-247-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-247AD (IXFH)
Розсіювана потужність (макс.)
360W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
100V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
180nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
4500pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 13176 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFH80N10Q
IXFH80N10Q Електронні компоненти
IXFH80N10Q Продажі
IXFH80N10Q Постачальник
IXFH80N10Q Дистриб'ютор
IXFH80N10Q Таблиця даних
IXFH80N10Q Фотографії
IXFH80N10Q Ціна
IXFH80N10Q Пропозиція
IXFH80N10Q Найнижча ціна
IXFH80N10Q Пошук
IXFH80N10Q Закупівля
IXFH80N10Q Чіп