Купити IXYS IXFH80N65X2-4 MOSFET N-CH

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

IXFH80N65X2-4

MOSFET N-CH

Номер деталі

IXFH80N65X2-4

Виробник/бренд

IXYS

Серія

HiPerFET™

Статус частини

Active

Упаковка

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-247-4

Пакет пристроїв постачальника

TO-247-4L

Розсіювана потужність (макс.)

890W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

650V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

140nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

8300pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 46716 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

IXFH100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-247