Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFN180N25T

IXFN180N25T

MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
Номер деталі
IXFN180N25T
Виробник/бренд
Серія
GigaMOS™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Chassis Mount
Пакет / футляр
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет пристроїв постачальника
SOT-227B
Розсіювана потужність (макс.)
900W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
250V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
345nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
28000pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 43028 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFN180N25T
IXFN180N25T Електронні компоненти
IXFN180N25T Продажі
IXFN180N25T Постачальник
IXFN180N25T Дистриб'ютор
IXFN180N25T Таблиця даних
IXFN180N25T Фотографії
IXFN180N25T Ціна
IXFN180N25T Пропозиція
IXFN180N25T Найнижча ціна
IXFN180N25T Пошук
IXFN180N25T Закупівля
IXFN180N25T Чіп