Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Номер деталі
IXFN27N80Q
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Chassis Mount
Пакет / футляр
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет пристроїв постачальника
SOT-227B
Розсіювана потужність (макс.)
520W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
800V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
170nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
7600pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 34399 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFN27N80Q
IXFN27N80Q Електронні компоненти
IXFN27N80Q Продажі
IXFN27N80Q Постачальник
IXFN27N80Q Дистриб'ютор
IXFN27N80Q Таблиця даних
IXFN27N80Q Фотографії
IXFN27N80Q Ціна
IXFN27N80Q Пропозиція
IXFN27N80Q Найнижча ціна
IXFN27N80Q Пошук
IXFN27N80Q Закупівля
IXFN27N80Q Чіп