Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFN420N10T

IXFN420N10T

MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
Номер деталі
IXFN420N10T
Виробник/бренд
Серія
GigaMOS™ HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Chassis Mount
Пакет / футляр
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет пристроїв постачальника
SOT-227B
Розсіювана потужність (макс.)
1070W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
100V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
670nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
47000pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 9606 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFN420N10T
IXFN420N10T Електронні компоненти
IXFN420N10T Продажі
IXFN420N10T Постачальник
IXFN420N10T Дистриб'ютор
IXFN420N10T Таблиця даних
IXFN420N10T Фотографії
IXFN420N10T Ціна
IXFN420N10T Пропозиція
IXFN420N10T Найнижча ціна
IXFN420N10T Пошук
IXFN420N10T Закупівля
IXFN420N10T Чіп