Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFN60N80P

IXFN60N80P

MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Номер деталі
IXFN60N80P
Виробник/бренд
Серія
PolarHV™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Chassis Mount
Пакет / футляр
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет пристроїв постачальника
SOT-227B
Розсіювана потужність (макс.)
1040W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
800V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
250nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
18000pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 36035 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFN60N80P
IXFN60N80P Електронні компоненти
IXFN60N80P Продажі
IXFN60N80P Постачальник
IXFN60N80P Дистриб'ютор
IXFN60N80P Таблиця даних
IXFN60N80P Фотографії
IXFN60N80P Ціна
IXFN60N80P Пропозиція
IXFN60N80P Найнижча ціна
IXFN60N80P Пошук
IXFN60N80P Закупівля
IXFN60N80P Чіп